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还在寻找一颗能同时兼顾高功率与高增益的射频核心吗？PD55008STR-E正是您的理想答案。这颗LDMOS射频功率晶体管，能在500MHz频率下，为您稳定输出8W的强大功率，并带来高达17dB的增益，显著放大您的信号，让通信更远、更清晰。

它内置的卓越性能让系统设计事半功倍。高达40V的耐压和4A的载流能力，为您设备的稳定运行保驾护航；而优化的PowerSO-10封装，则让散热处理变得高效轻松，助力您打造更紧凑、更可靠的产品。选择PD55008STR-E，就是选择让您的射频系统性能一步到位，轻松应对专业挑战。

• 型号:PD55008STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:4A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:8W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD55008STR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。