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还在寻找能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STP165N10F4正是为您的高要求应用而生。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流，其核心魅力在于极低的5.5毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET技术，确保在10V驱动电压下实现优异的开关性能。无论是用于工业电源、电机控制还是能源转换，STP165N10F4都能让您轻松应对高功率挑战。其坚固的TO-220AB封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），提供了卓越的可靠性和耐久性，是您构建高性能、高可靠性功率电路的理想选择。

• 型号:STP165N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP165N10F4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。