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还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高频率与高可靠性的射频放大核心吗？PD55003TR-E就是您的理想答案。这颗由ST意法半导体出品的LDMOS射频功率FET，专为要求严苛的应用而设计，能让您的无线通信、射频能量或测试设备效能大幅提升。

它能在高达500MHz的频率下，稳定输出3W的强劲功率，并凭借17dB的高增益，让您轻松放大微弱信号，显著简化前端电路设计。其40V的额定电压和优化的PowerSO-10封装，确保了出色的耐用性和散热效率，让您的设备运行更稳定、更持久。选择PD55003TR-E，就是为您的产品选择了一个高效、可靠的能量引擎。

• 型号:PD55003TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:3W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD55003TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。