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您正在寻找一颗能轻松驾驭中等功率开关任务的“得力干将”吗？STP12PF06正是这样一款专为高效电源控制而生的P沟道MOSFET。它能为您做什么？核心在于以更低的损耗，实现更可靠的通断控制。

凭借其60V的漏源电压和12A的连续电流能力，它能让您轻松应对电机驱动、DC-DC转换或负载开关等应用中的功率路径管理。其低至200毫欧的导通电阻和仅21nC的栅极电荷，意味着更少的能量以热量形式浪费，开关速度更快，从而让您的系统整体能效显著提升，运行更凉爽、更高效。

• 型号:STP12PF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12PF06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。