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还在为射频放大电路的功率和效率瓶颈而困扰吗？PD54008TR-E这颗强大的LDMOS射频功率晶体管，正是为您突破这些限制而设计。它能轻松将您的信号放大至8W的强大输出，同时提供高达11.5dB的增益，让您的通信设备或射频系统拥有更远的传输距离和更清晰的信号质量。

这颗芯片能为您做什么？它让您在高至500MHz的频段下，高效、稳定地工作。其25V的高额定电压和5A的电流能力，确保了在 demanding 应用中的坚固耐用。采用先进的PowerSO-10RF封装，散热性能优异，让您无需为过热问题担忧，从而专注于实现更卓越的系统整体性能。选择PD54008TR-E，就是选择让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:PD54008TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:11.5dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:8W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD54008TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。