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还在寻找一颗能同时兼顾高功率与高频率的射频放大器核心吗？PD54008-E正是为您而来的解决方案。这颗基于先进LDMOS技术的FET，专攻500MHz频段，能轻松为您输出高达8W的强劲射频功率，同时提供11.5dB的卓越增益，让您的信号覆盖更远、质量更清晰。

它采用高效的PowerSO-10封装，优异的散热设计让您无需再为高温降额而担忧。无论是驱动通信基站、赋能工业射频应用，还是集成到高性能测试仪器中，PD54008-E都能以25V的高耐压和5A的电流能力，确保系统运行稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、强健的射频动力核心。

• 型号:PD54008-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:11.5dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:8W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD54008-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。