我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） PD20010S-E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为射频功率放大电路的效率与线性度苦恼吗？让PD20010S-E为您带来改变！这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率场效应管，是您实现高效、稳定射频能量放大的得力助手。

它能在2GHz的高频下，轻松输出高达10W的功率，并保持11dB的优秀增益，让您的信号放大变得强劲而清晰。采用PowerSO-10RF封装，散热性能优异，确保在13.6V工作电压下持续稳定运行。无论是提升通信距离还是保证信号质量，它都能让您的设计事半功倍。

• 型号:PD20010S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD20010S-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。