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还在寻找一颗能扛得住时间考验的存储芯片吗？NAND512W3A2BN6F就是您答案。这颗512Mb（64M x 8）的并行NAND闪存，能为您高效存储海量程序代码、用户数据或系统日志。其50ns的快速访问时间，让数据读取如行云流水，显著提升系统响应速度。

它更懂您的严苛要求。宽电压供电（2.7V~3.6V）适应复杂的电源环境，宽广的工作温度范围（-40°C ~ 85°C）让它无惧严寒酷暑，无论是工业现场还是车载设备，都能稳定运行。表面贴装的48-TSOP封装，让您能够轻松完成高密度PCB板设计，节省宝贵空间。

总而言之，NAND512W3A2BN6F以其成熟可靠的非易失存储特性，让您能够以极具竞争力的成本，为产品构建一个高效、稳定、耐用的数据存储中心，轻松应对各种嵌入式应用的挑战。

• 型号:NAND512W3A2BN6F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND512W3A2BN6F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。