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还在寻找一颗能兼顾大容量、高速度与工业级可靠性的存储芯片吗？NAND512W3A2BN6E正是您的理想答案。这颗由意法半导体打造的512Mb并行NAND闪存，能以高达50ns的页写入和访问速度，让您的设备实现高效数据吞吐，轻松应对实时数据记录、固件存储或媒体缓存等任务。

它为您提供了宽广的2.7V-3.6V工作电压范围和-40°C至85°C的工业级温度适应性，确保在各种严苛环境下稳定运行。无论是工业控制器、通信设备还是需要可靠存储的消费电子产品，选择它，就是为您的设计选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:NAND512W3A2BN6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND512W3A2BN6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。