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还在为经典设备寻找可靠的数据存储核心吗？NAND512W3A0AN6E就是您理想的答案。这颗由ST意法半导体出品的512Mb并行NAND闪存，能为您需要长期稳定运行的成熟产品提供坚实的数据存储底座。

它让您轻松实现程序代码、系统参数或运行日志的高效存储与快速访问。50ns的读写速度保障了系统响应的流畅性，而宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）支持，则确保它在各种复杂环境下都能稳定工作，极大提升了您产品的环境适应性与可靠性。

• 型号:NAND512W3A0AN6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND512W3A0AN6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。