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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STL35N6F3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达35A的连续电流能力，其核心优势在于极低的导通电阻（仅22毫欧@10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉快、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat表面贴装封装，易于焊接和散热管理，能帮助您轻松实现紧凑、高功率密度的产品设计。无论是提升DC-DC转换器的效率，还是驱动电机实现快速响应，STL35N6F3都能以稳定的性能和卓越的能效，成为您设计中可靠的动力核心。

• 型号:STL35N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 35A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL35N6F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。