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还在寻找一颗能扛重任、值得信赖的核心存储芯片吗？NAND512R3A2BZA6E就是您期待的答案。这颗由ST意法半导体打造的512Mb并行NAND闪存，能以高达60ns的极速访问时间，让您的系统实现数据的高速写入与读取，彻底告别等待，提升整体运行效率。

它采用先进的1.8V级低电压工作设计，不仅性能强劲，更能帮助您优化系统功耗。其坚固的内在支持-40°C到85°C的宽温工作范围，确保在各类严苛环境下数据存储的稳定与安全。无论是工业自动化设备的数据日志，还是网络通信产品的固件存储，它都能让您的设计轻松应对，为产品注入高效可靠的存储动力。

• 型号:NAND512R3A2BZA6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:63-VFBGA（8.5x15）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:60 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（8.5x15）
• NAND512R3A2BZA6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。