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还在为驱动高压MOSFET或IGBT寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？L6386ADTR正是您理想的解决方案。这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，能轻松驾驭高达600V的电压，并以高达650mA的强劲输出电流，确保您的功率开关器件快速、干净地开启和关断，从而大幅提升电源转换或电机驱动的效率与可靠性。

它专为严苛环境设计，工作结温范围宽达-40°C至150°C，让您的产品无惧挑战。其反相输入逻辑与标准CMOS/TTL电平兼容，让您能轻松对接主流控制器，简化电路设计。无论是用于工业电机驱动、空调压缩机，还是开关电源，L6386ADTR都能让您的系统运行更稳定、设计更紧凑、能效更出众。

• 型号:L6386ADTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6386ADTR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。