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还在寻找一颗能扛重任、响应迅速的存储核心吗？NAND256W3A0AN6E就是您的答案。这颗由ST意法半导体出品的256Mb并行NAND闪存，能以高达50ns的页写入与访问时间，让您的系统实现闪电般的数据吞吐，彻底告别等待。

它专为 demanding 应用而生。宽广的-40°C至85°C工作温度范围与2.7V~3.6V的宽电压支持，让它在工业控制、汽车电子、网络通信等复杂环境中稳如磐石，确保您的关键数据在任何条件下都安全无虞。紧凑的48-TFSOP表面贴装封装，更能帮您轻松优化电路板布局，提升生产效率。

• 型号:NAND256W3A0AN6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND256W3A0AN6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。