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还在寻找一颗能扛重任、让您省心的核心存储芯片吗？NAND01GW3A2AN6E就是您的理想答案。这颗由意法半导体打造的1Gb并行NAND闪存，专为需要可靠、高效数据存储的应用而生。

它能为您的设备提供高达128M x 8的存储空间，并以30ns的快速访问时间，让数据读写毫无迟滞。其宽广的电压与温度适应能力，确保无论是在严苛的工业环境还是复杂的消费场景中，都能稳定工作，彻底解放您的设计顾虑。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的数据基石。

• 型号:NAND01GW3A2AN6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:30ns
• 访问时间:30 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND01GW3A2AN6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。