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您正在寻找一颗能轻松驾驭中高功率开关与放大任务的核心器件吗？MJD112T4正是为您而来！这颗NPN达林顿晶体管拥有100V的高耐压和2A的电流驱动能力，其高达1000的电流增益让您能用极小的控制信号，高效驱动继电器、电机或LED阵列等负载，显著简化电路设计。

它采用坚固的DPak表面贴装封装，功率处理能力高达20W，并支持150°C的高温工作。这意味着它能让您的电源管理、电机控制或照明驱动应用运行得更稳定、更可靠，轻松应对各种挑战，是提升产品性能与竞争力的理想选择。

• 型号:MJD112T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 40mA，4A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:20A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 2A，3V
• 功率 - 最大值:20 W
• 频率 - 跃迁:25MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• MJD112T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。