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还在为关键数据如何在断电瞬间安全保存而烦恼吗？M48Z32V-35MT1E正是为您解决这一核心难题的利器。它将SRAM的高速读写（访问时间仅35ns）与非易失存储的持久性合二为一，让您的系统能像闪电般记录数据，并像磐石一样将其牢牢锁住，无需任何外部电池。

这颗256Kb容量的NVSRAM芯片，能轻松充当您设备中的“黑匣子”。无论是工业控制器中的瞬时状态、医疗设备中的监测参数，还是通信设备里的配置信息，它都能确保在意外断电时零延迟、零数据丢失地自动保存。采用3.3V供电和表面贴装封装，让您能更高效地集成到紧凑、现代化的设计中，极大地提升了系统的可靠性与简洁度。

• 制造商产品型号：M48Z32V-35MT1E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 44SO
• 产品系列：存储器
• 包装：管件
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：NVSRAM
• 技术：NVSRAM（非易失性 SRAM）
• 存储容量：256Kb（32K x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：35ns
• 访问时间：35ns
• 电压-供电：3V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：44-BSOP（0.337，8.56mm 宽）
• M48Z32V-35MT1E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。