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还在为射频功放设计的功率瓶颈和效率难题寻找突破口吗？让意法半导体的LET9060TR射频LDMOS晶体管为您提供强大助力！这颗芯片能在960MHz频率下，为您稳定输出高达60W的射频功率，同时带来17.2dB的出色增益，显著放大您的信号，让您的通信或发射系统拥有更远的覆盖范围和更强的穿透力。

它采用先进的LDMOS技术，具备80V高耐压和12A大电流承载能力，让您的设计更加稳健可靠。其PowerSO-10RF封装优化了散热路径，让您能轻松管理功率耗散，确保系统长时间高效、稳定运行。选择它，就是为您的核心射频链路注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:LET9060TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:960MHz
• 增益:17.2dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:12A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:60W
• 电压 - 额定:80 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• LET9060TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。