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还在寻找一颗能同时驾驭高功率与高频率的射频核心？LET9060C就是您期待的答案。这颗由ST意法半导体打造的LDMOS射频功率晶体管，专为945MHz频段的严苛应用而优化，让您轻松获得高达75W的强劲输出功率，同时享受18dB的高增益带来的卓越信号放大能力。

它采用成熟的M243封装，在28V工作电压下表现出色，额定电压高达80V，电流承载能力达12A，为您的高要求射频系统提供了坚实的可靠性基础。无论是驱动末级功率放大，还是构建高稳定性的信号链路，LET9060C都能让您的设计事半功倍，高效实现性能目标。

• 型号:LET9060C
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M243
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M243
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:18dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:12A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:400 mA
• 功率 - 输出:75W
• 电压 - 额定:80 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:M243
• 供应商器件封装:M243
• LET9060C，ST（意法半导体）产品一站式供应商。