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还在为高功率应用的效率与散热问题寻找解决方案吗？STE48NM50正是您期待的答案。这颗采用ST先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有550V高压和48A大电流的处理能力，能轻松胜任工业电源、电机驱动等核心任务。

它通过极低的100毫欧导通电阻和优化的动态特性，大幅降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。其坚固的ISOTOP封装确保了出色的散热，让您在追求高功率密度的同时，无需担心可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的心脏。

• 型号:STE48NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE48NM50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。