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还在为高压侧MOSFET驱动电路的设计而头疼吗？让L9857-TR来为您轻松解决！这颗来自ST意法半导体的单通道高端栅极驱动器，专为高效、可靠地驱动N沟道MOSFET而优化。它能将您的控制信号，转化为强劲、快速的驱动能力，确保功率开关管精准、高效地动作。

凭借高达300V的自举电压和500mA的峰值输出电流，它让您能轻松应对工业级高压应用场景，显著提升开关速度，降低系统损耗。其宽工作温度范围和稳定的非反相输入逻辑，进一步简化了您的设计，提升了整体方案的鲁棒性。选择L9857-TR，就是选择了一个让功率电路设计更简单、性能更出色的得力助手。

• 制造商产品型号：L9857-TR
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：高端
• 通道类型：单路
• 驱动器数：1
• 栅极类型：N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：10V ~ 18V
• 逻辑电压-VIL，VIH：-
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：500mA，500mA
• 输入类型：非反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：300V
• 上升/下降时间（典型值）：100ns，100ns
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• L9857-TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。