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还在为驱动高压半桥电路而烦恼吗？L6571AD正是为您排忧解难的得力助手！这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器，专为高效驱动IGBT和N沟道MOSFET而设计，它能将您的控制信号转化为强劲、精准的栅极驱动功率，确保您的功率开关管快速、可靠地动作。

它内置两个同步驱动通道，采用半桥配置，工作电压范围宽达10V至16.6V，并能承受高达600V的自举电压。这意味着您能轻松构建出高效、紧凑的电机控制、电源转换或照明驱动方案。其表面贴装型的8-SOIC封装，让您的PCB布局更加灵活高效。

简而言之，L6571AD能让您以更简单的设计，获得更稳定、高效的功率输出表现，是提升产品性能与可靠性的智能之选。

• 型号:L6571AD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6571AD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。