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还在为如何高效、安全地驱动功率开关管而费神吗？让L6390D来为您解决核心难题！这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，专为驾驭IGBT和MOSFET而生，它能将微弱的控制信号，瞬间转化为强劲、精准的驱动脉冲，轻松驾驭高达600V的母线电压。

它拥有高达430mA的拉电流和290mA的灌电流输出能力，配合极短的开关时间，能显著降低开关损耗，提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。其宽泛的电源电压（12.5V-20V）与工作温度范围（-40°C ~ 150°C），更让您的设计在各种严苛环境下都游刃有余，稳定可靠。

• 型号:L6390D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:16-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12.5V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:16-SO
• L6390D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。