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LET9120 零件图片(仅供参考)

LET9120
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LET9120 规格参数

还在为射频功放部分的效率与功率瓶颈而烦恼吗?LET9120正是为您破局而生的利器!这颗基于先进LDMOS技术的N沟道MOSFET,专为高频大功率场景优化,能让您的系统在860MHz频率下,轻松驾驭高达150W的射频输出功率,同时提供高达18dB的强劲信号增益,确保您的信号覆盖更远、质量更清晰。

它集80V高耐压和18A大电流处理能力于一身,采用稳定的M246封装,为您带来卓越的功率密度和可靠性。无论是驱动基站射频单元,还是赋能工业级射频应用,LET9120都能让您以更高的效率实现性能目标,大幅简化您的散热设计和系统架构,助您快速将稳定、强大的产品推向市场。

  • 型号:LET9120
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:M246
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET LDMOS 32V M246
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 技术:LDMOS
  • 配置:-
  • 频率:860MHz
  • 增益:18dB
  • 电压 - 测试:32 V
  • 额定电流(安培):18A
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:400 mA
  • 功率 - 输出:150W
  • 电压 - 额定:80 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:M246
  • 供应商器件封装:M246
  • LET9120,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的ST供应商

LET9120 基本参数:

  • 电子零件型号:LET9120
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:RF MOSFET LDMOS 32V M246
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 点击此处查询LET9120的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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