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STD7NM50N-1 零件图片(仅供参考)

STD7NM50N-1
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STD7NM50N-1 规格参数

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的高压开关解决方案吗?STD7NM50N-1正是为您而来。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET,拥有500V的耐压和5A的电流处理能力,让您在设计开关电源、电机驱动或PFC电路时,能够显著降低导通损耗,提升整体能效。

它具备低至780毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷,这意味着更快的开关速度和更低的发热量,让您的系统运行更高效、更凉爽。其坚固的IPAK通孔封装和宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C),确保了在各种严苛环境下的稳定性和长寿命,是您构建耐用、高效电力电子系统的理想基石。

  • 型号:STD7NM50N-1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:IPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):780 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):12 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):400 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):45W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:IPAK
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
  • STD7NM50N-1,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD7NM50N-1 基本参数:

  • 电子零件型号:STD7NM50N-1
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STD7NM50N-1的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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