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还在为驱动高压半桥电路寻找一颗“强力又聪明”的心脏吗？L6388E正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器，能轻松驾驭高达600V的电压平台，并以高达650mA的拉电流能力，确保您的IGBT或MOSFET开关迅速、果断，极大提升系统效率与响应速度。

它集成了独立的高低压侧驱动通道，配合反相输入逻辑，让您的电路设计更加简洁灵活。宽广的工作温度范围（-40°C ~ 125°C）意味着它能陪伴您的产品征战从寒带到热带的各类严苛环境。简而言之，L6388E的核心价值就是让您以更低的系统复杂度，实现更高性能、更可靠的功率控制，为您的电机驱动和电源转换应用注入强劲动力。

• 型号:L6388E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.8V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，40ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-DIP
• L6388E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。