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还在为高电压应用中的效率瓶颈和散热挑战寻找答案吗？STW38N65M5-4就是为您准备的强大引擎。这颗N沟道MOSFET拥有650V的高耐压和30A的强劲电流处理能力，基于ST先进的MDmesh M5技术，它能显著降低导通和开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为应对严苛环境而生，结温高达150°C，确保在工业级应用中的长期稳定。优化的栅极电荷和TO-247-4L封装，让您能轻松实现更快的开关频率和更简洁的散热设计，从而简化整体系统布局，加速产品上市进程。选择它，就是选择了一份卓越的性能保障。

• 型号:STW38N65M5-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW38N65M5-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。