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还在为驱动高压半桥电路而烦恼吗？L6386D013TR就是为您简化设计、提升性能的答案。这颗强大的半桥栅极驱动器，专为高效驱动IGBT和N沟道MOSFET而生，它能将您的微控制器逻辑信号，瞬间转化为强劲、精准的栅极驱动动力，让您的电机控制、电源转换应用运行得更流畅、更可靠。

它集成了独立的高低压侧驱动通道，支持高达600V的自举电压，轻松应对高压侧驱动的隔离挑战。高达650mA的拉电流输出能力，确保功率器件快速开启，而快速的上升下降时间则能显著降低开关损耗，提升整体能效。其宽泛的工作温度范围（-40°C至150°C）和坚固的设计，让您的产品即使在最严苛的环境中也能稳定工作。选择L6386D013TR，就是选择了一份让设计更高效、让产品更耐用的成熟保障。

• 型号:L6386D013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6386D013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。