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还在为半桥驱动电路的设计而费神吗？让L6385ED013TR来为您化繁为简！这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器，专为高效驱动IGBT和MOSFET而优化，它能为您提供高达650mA/400mA的强大拉灌电流，确保功率开关管以惊人的速度（典型上升/下降时间仅50ns/30ns）完成切换，从而大幅提升系统效率，降低能耗与发热。

它集成了独立的高低压侧驱动通道，支持高达600V的自举电压，让您轻松构建可靠的半桥或同步整流电路。其宽广的工作温度范围（-40°C至150°C）和坚固的设计，确保您的产品即使在最严苛的工业环境中也能稳定运行。选择L6385ED013TR，就是选择了一个让您的电源管理设计更高效、更紧凑、更可靠的智能解决方案。

• 型号:L6385ED013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6385ED013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。