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还在寻找那颗能同时驾驭效率与可靠性的“心脏”吗？L6385ED就是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，专为驱动IGBT和MOSFET而生，它能将您的控制信号高效、精准地转换为强大的栅极驱动功率，确保功率开关管快速、稳定地动作。

它拥有高达600V的高压侧耐压和强劲的峰值输出电流，让您轻松应对电机驱动、电源转换等高压场合的严苛需求。其卓越的开关速度与宽温工作范围，更能助力您的系统实现更高能效与极致可靠性，简化设计，加速产品上市。

• 型号:L6385ED
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6385ED，ST（意法半导体）产品一站式供应商。