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STF8N80K5 零件图片(仅供参考)

STF8N80K5
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STF8N80K5 规格参数

还在为寻找一颗能兼顾高压耐受与高效开关的功率器件而烦恼吗?让STF8N80K5来为您排忧解难!这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET,是您打造高效能电源与驱动系统的理想核心。

它拥有高达800V的击穿电压和仅6A的连续漏极电流能力,为您的高压侧开关应用提供坚固保障。更令人惊喜的是,其导通电阻低至950毫欧,配合优化的栅极电荷,能显著降低导通与开关损耗,让您的系统运行更凉爽、效率更高。无论是开关电源、电机控制还是照明应用,它都能帮助您轻松实现更优的能效表现和更可靠的产品设计。

  • 型号:STF8N80K5
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • STF8N80K5,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STF8N80K5 基本参数:

  • 电子零件型号:STF8N80K5
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STF8N80K5的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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