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还在为高压半桥驱动的设计与可靠性头疼吗？让L6385D013TR来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器芯片，是您驾驭IGBT和MOSFET的得力舵手。它能轻松应对高达600V的电压环境，用强劲的650mA拉电流和400mA灌电流，确保您的功率开关管快速精准地动作，从而大幅提升电源转换效率，让系统运行更凉爽、更持久。

它集成了独立的高低压侧驱动通道，逻辑接口兼容性强，您无需复杂的电平转换电路就能轻松对接主流控制器。从工业电机驱动到消费类电源，L6385D013TR都能让您的设计化繁为简，在-40°C到150°C的广阔温度范围内稳定护航，助您高效打造出性能卓越且可靠的终端产品。

• 型号:L6385D013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6385D013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。