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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的“能量开关”吗？STB100NF04T4正是您的高效之选！这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和高达120A的连续电流承载能力，而其导通电阻低至惊人的4.6毫欧，能极大减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它专为严苛环境而生，符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在极端温度下依然稳定可靠。优化的150nC栅极电荷，让您能够轻松实现快速开关，完美适用于电机驱动、电源转换等高动态响应场景。选择STB100NF04T4，就是选择让您的设计轻松获得高性能、高可靠性的强大心脏。

• 型号:STB100NF04T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB100NF04T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。