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还在为驱动高压MOSFET或IGBT而烦恼吗？L6384E就是为您简化设计、提升性能的得力助手！这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，能轻松驾驭高达600V的电压平台，为您的高压电机控制、电源转换和照明镇流器应用提供强劲、同步的驱动动力。

它内置两路独立的驱动通道，输出能力强劲（拉出650mA/灌入400mA），开关速度极快（典型上升/下降时间仅50ns/30ns），能大幅降低开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。宽泛的电源电压（14.6V-16.6V）与工作温度范围（-45°C至125°C），搭配坚固的DIP通孔封装，确保它在各种工业严苛环境下依然稳定可靠，让您无后顾之忧。

• 型号:L6384E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-DIP
• L6384E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。