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您正在寻找一颗能扛起高压、高效开关重任的“核心引擎”吗？STP6N52K3正是这样一款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，它专为要求苛刻的功率转换应用而生。凭借525V的高漏源击穿电压和仅1.2欧姆的低导通电阻，它能显著降低开关和传导损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉快、更高效。

这颗采用经典TO-220封装的芯片，集成了先进的SuperMESH3技术，不仅提供了5A的强劲电流处理能力，更通过优化的栅极电荷（低至26nC）让开关速度更快，驱动更轻松。无论是应对工业环境中的严苛挑战，还是满足消费类产品对能效的追求，它都能以卓越的热性能（结温150°C）和可靠性，确保您设计的长期稳定运行。

• 型号:STP6N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。