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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任的“核心引擎”吗？IRF840正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有500V的坚固耐压和8A的强大电流吞吐能力，能轻松成为您开关电源、电机驱动或功率转换电路中的可靠支柱。

它采用先进的PowerMESH II技术，不仅导通电阻低至850毫欧，更能实现快速、干净的开关动作，显著提升系统效率并降低发热。经典的TO-220AB封装让散热处理变得简单高效。选择IRF840，就是让您的设计在性能与成熟度之间获得完美平衡，高效推进项目落地。

• 型号:IRF840
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:832 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF840，ST（意法半导体）产品一站式供应商。