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还在为高压开关电路中的效率瓶颈和发热问题头疼吗？让IRF820来为您轻松化解！这颗N沟道MOSFET是ST意法半导体PowerMESH II家族的经典成员，专为高效、可靠的功率控制而设计。

它拥有500V的高耐压和4A的电流处理能力，配合优化的栅极电荷和导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。其坚固的TO-220AB封装和高达80W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的长期稳定工作。

简而言之，IRF820的核心价值就是：让您以经典可靠的方案，实现对高压负载的精准、高效控制，从而提升整机性能与可靠性。

• 型号:IRF820
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF820，ST（意法半导体）产品一站式供应商。