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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和强大驱动能力的功率开关吗？STGFW20H65FB正是为您而生的解决方案。这颗650V/40A的沟槽场截止型IGBT，以其低至2V的导通压降和优化的开关能量，能显著降低系统损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器设计轻松实现能效突破。

它让您能够构建更紧凑、更安静的电力转换系统。优异的动态性能和高达175°C的结温工作能力，确保了它在各种负载和温度条件下都能稳定运行，大幅提升终端产品的耐用性和市场竞争力。选择它，就是为您的核心电路注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:STGFW20H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3PF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:52 W
• 开关能量:77J（导通），170J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:120 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/139ns
• 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3PFM，SC-93-3
• 供应商器件封装:TO-3PF
• STGFW20H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。