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还在为驱动大功率负载寻找一颗“大力士”般的核心器件吗？ESM2012DV正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的NPN达林顿功率晶体管，集120A超大电流和120V高耐压于一身，让您轻松驾驭工业电机驱动、电源转换、电焊设备等重型应用，瞬间释放澎湃动力。

它的秘密在于高达1200的电流增益，这意味着您仅需微小的输入电流，就能精准控制百安培级的输出，极大地简化了您的驱动电路设计，让系统更高效、更可靠。采用卓越散热的ISOTOP封装，配合175W的强大功率处理能力，确保即使在高温高负荷下也能稳定运行，有效提升您设备的整体耐用性和能效表现。

• 型号:ESM2012DV
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:120 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 1A，100A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:-
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1200 @ 100A，5V
• 功率 - 最大值:175 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:ISOTOP
• 供应商器件封装:ISOTOP
• ESM2012DV，ST（意法半导体）产品一站式供应商。