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您是否希望为精密电路找到一位反应迅捷、守护周全的“贴身保镖”？ESDALC6V1M6正是这样一款专为应对静电放电（ESD）和瞬态电压而生的TVS二极管。它能在纳秒间响应，将危险的过电压脉冲高效箝位，其30W的峰值脉冲功率处理能力和低至12pF的电容，让您在获得强劲保护的同时，完全无需担心信号质量受损。

这颗芯片集成了4条单向保护通道，典型反向断态电压为3V，能精准守护3V左右的敏感线路。其超小的6-UFDFN封装和表面贴装工艺，让您能轻松将其部署在空间受限的现代电子设备中，无论是手机接口、可穿戴设备还是工控传感器，都能实现可靠防护。选择它，就是为您的产品可靠性加上一道坚实的保险。

• 型号:ESDALC6V1M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:6-QFN（1.45x1.0）
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 3VWM 6UQFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:4
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:3V
• 电压 - 击穿（最小值）:6.1V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
• 功率 - 峰值脉冲:30W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:12pF @ 1MHz
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UFDFN
• 供应商器件封装:6-QFN（1.45x1.0）
• ESDALC6V1M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。