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还在为如何高效、可靠地驱动半桥拓扑中的功率开关管而烦恼吗？让E-L6569D来为您解决这个核心难题！这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器，专为同步驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，能轻松驾驭高达600V的电压环境，是您构建高效电机驱动、电源转换系统的得力助手。

它内置两路独立的驱动通道，提供高达270mA的拉电流和170mA的灌电流，确保功率管快速、干净地开关，大幅提升系统效率并降低热损耗。其宽广的工作电压（10V-16.6V）与温度范围（-40°C至150°C），让您的设计能够适应各种严苛的工业与消费电子环境，实现稳定可靠的长期运行。

• 型号:E-L6569D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• E-L6569D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。