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还在为工业设备的动力核心选择而犹豫吗？让A1P35S12M3为您带来变革！这颗来自ST意法半导体的IGBT模块，集1200V耐压、35A电流与250W功率于一身，采用高效的沟槽型场截止技术，能显著降低开关与导通损耗，直接提升您的整机能效。

它集成了标准输入的三相反相器配置与关键的NTC热敏电阻，让您轻松实现精准的温度监控与保护，确保系统在极端环境下依然稳定可靠。其紧凑的ACEPACK1模块化封装，极大简化了您的电路布局与散热设计，助您高效开发出更小巧、更强大的变频驱动、伺服系统或UPS解决方案。

• 型号:A1P35S12M3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 35A ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
• 功率 - 最大值:250 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，35A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):2.154 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
• A1P35S12M3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。