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还在为复杂的功率电路设计而烦恼吗？让A1P25S12M3来为您化繁为简，赋能高效。这颗来自ST意法半导体的1200V/25A IGBT模块，集成了完整的三相反相器桥臂，您只需一个模块就能构建核心功率转换单元，极大节省板面空间，让您的设计更紧凑、更优雅。

它采用先进的沟槽型场截止技术，导通损耗极低，能显著提升系统效率，帮助您的设备运行更凉爽、更节能。模块内置NTC热敏电阻，让您轻松实现精准的温度监控与保护，确保系统在-40°C到150°C的宽温范围内稳定可靠。选择A1P25S12M3，就是选择了一条通往高性能、高可靠性功率应用的捷径。

• 型号:A1P25S12M3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 25A ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 功率 - 最大值:197 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，25A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):1.55 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
• A1P25S12M3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。