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还在寻找一颗能轻松驾驭低功率开关任务的“得力干将”吗？让2N7000来为您效劳！这颗来自ST意法半导体的经典N沟道MOSFET，专为高效、可靠地控制小电流信号与负载而设计。

它能让您的微控制器或逻辑电路，以极低的驱动电压（仅需4.5V-10V）轻松掌控高达60V、350mA的负载通断。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关响应，让您的系统运行更迅捷。无论是驱动继电器、LED，还是进行信号切换，2N7000都能以经典的TO-92封装和稳定的性能，助您简化设计，提升整体方案的可靠性与性价比。

• 型号:2N7000
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:43 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 2N7000，ST（意法半导体）产品一站式供应商。