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您是否希望用一颗芯片就搞定负载驱动与全面保护？VNN1NV04TR-E正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的智能功率开关，集成了N沟道MOSFET和先进的控制逻辑，能轻松为您开关高达36V、1.7A的各类负载，如电机、灯组或电磁阀。

它最令人称道的是其“内置智慧”。芯片自带固定限流、过温和过压保护，能主动防御各种故障，让您的系统固若金汤。其极低的250毫欧导通电阻，确保了高效运行与低发热。采用紧凑的SOT-223封装和简单的开/关接口，让您能大幅简化电路设计，节省空间与成本，快速实现可靠高效的电源路径管理。

• 型号:VNN1NV04TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:36V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:1.7A
• 导通电阻（典型值）:250 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• VNN1NV04TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。