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还在为驱动大功率负载而设计复杂的MOSFET外围电路吗？让VND5E050J-E来简化您的工作！这颗来自ST意法半导体的双通道智能高边开关，能为您轻松驾驭高达19A的强劲电流，其超低的50毫欧导通电阻更能显著减少功率损耗，提升系统整体效率。

它不仅仅是一个开关，更是您系统的安全卫士。芯片内置了全面的故障保护功能，包括限流、过温、过压和开路负载检测，并具备自动重启能力，确保您的应用在汽车或工业等恶劣环境下也能稳定可靠运行。采用紧凑的PowerSSO-12封装，让您能在有限的空间内实现强大的功率分配与控制。

• 型号:VND5E050J-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSSO-12
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 PWRSSO12
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:2
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:高端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:4.5V ~ 28V
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:19A
• 导通电阻（典型值）:50 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:带有自动重启功能
• 故障保护:限流（固定），开路负载检测，超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerSSO-12
• 封装/外壳:PowerSSO-12
• VND5E050J-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。