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您正在寻找一款能瞬间响应、强力吸收能量浪涌的保护方案吗？THBT20011D晶闸管浪涌保护器正是您的理想之选。它能在电压异常超过290V时迅速导通，将高达30A的浪涌电流安全泄放，牢牢将后端电路电压钳制在安全范围，让您的设备免受雷电、开关噪声等瞬态过压的威胁。

这颗芯片集成了三个保护元件于紧凑的8SOIC封装内，采用表面贴装，让您的PCB布局更加灵活高效。其低至80pF的电容特性，尤其适合需要保护高速数据线或通信端口的应用，在提供强大保护的同时，几乎不影响信号完整性。选择THBT20011D，就是为您的系统可靠性加上一道坚实的保险。

• 型号:THBT20011D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > 晶闸管
• 描述:THYRISTOR 200V 30A 8-SOIC
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 电压 - 导通:290V
• 电压 - 断态:200V
• 电压 - 通态:-
• 电流 - 峰值脉冲 (8/20s):-
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30 A
• 电流 - 保持 (Ih):150 mA
• 元件数:3
• 电容:80pF
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• THBT20011D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。