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还在寻找那颗能瞬间唤醒功率器件潜能的核心驱动吗？TD352IDT正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的高端单通道栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，它能将微弱的控制信号转化为强劲有力的栅极驱动电流，峰值输出高达1.7A（拉出）和1.3A（灌入），确保您的开关管以惊人的速度（典型100ns）完成状态切换，从而大幅降低开关损耗，提升整个电源或电机驱动系统的效率。

它拥有12V至26V的宽范围供电电压和出色的逻辑兼容性，让您在设计高压侧驱动电路时更加轻松自如。其坚固的设计支持-40°C到150°C的结温工作范围，并提供表面贴装的8-SOIC封装，让您的产品即使在最苛刻的环境下也能保持高效稳定的运行。选择TD352IDT，就是选择了一份让系统更可靠、设计更省心的卓越性能保障。

• 型号:TD352IDT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• TD352IDT，ST（意法半导体）产品一站式供应商。