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还在为驱动电路的设计复杂度和可靠性担忧吗？TD351IN单通道高端栅极驱动器，就是您简化设计、提升动力的秘密武器。它专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而生，高达1.7A的强劲输出电流和仅100ns的极速开关性能，让您轻松驾驭高功率开关，实现系统效率的显著飞跃。

这颗芯片能为您构建一道坚固的驱动防线。其宽达12V-26V的供电范围和卓越的-40°C至150°C工作温度范围，确保它在工业电源、电机控制等严苛场景中稳定运行，抗干扰能力强。非反相输入逻辑与明确的阈值电压，让接口设计直观高效，助您快速完成系统集成，将更多精力专注于核心功能创新。

• 型号:TD351IN
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-DIP
• TD351IN，ST（意法半导体）产品一站式供应商。