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还在为如何高效、可靠地驱动高压侧的功率开关而费神吗？让TD351IDT来为您解决这个核心难题！这颗来自ST意法半导体的高端单路栅极驱动器，专为驾驭IGBT和N沟道MOSFET而生。

它拥有高达1.7A/1.3A的强劲峰值输出电流和仅100ns的迅猛开关速度，让您的功率器件切换无比高效，显著提升系统能效。其12V-26V的宽供电范围和兼容性极强的逻辑输入，让您能轻松对接各种控制电路，大幅简化设计。无论是面对-40°C的严寒还是150°C的高温考验，其坚固的设计都能确保稳定运行，是您打造高性能、高可靠性电源与电机驱动系统的理想选择。

• 型号:TD351IDT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• TD351IDT，ST（意法半导体）产品一站式供应商。